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Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE

簡(jiǎn)要描述:Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE
——用于幾乎所有先進(jìn)薄膜或產(chǎn)品晶片測(cè)量的先進(jìn)多模計(jì)量
FilmTek™ 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE光譜橢圓偏振儀/多角度反射儀系統(tǒng)結(jié)合了FilmTek技術(shù),為從研發(fā)到生產(chǎn)的幾乎所有先進(jìn)薄膜測(cè)量應(yīng)用提供了業(yè)界的精度、精度和多功能性。其標(biāo)準(zhǔn)的小點(diǎn)測(cè)量尺寸和模式識(shí)別能力使該系統(tǒng)成為表征圖案化薄膜和產(chǎn)品晶片的理想選擇。

  • 所在城市:上海市
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新日期:2024-04-19
  • 訪  問(wèn)  量:2430
詳細(xì)介紹
品牌Bruker/布魯克產(chǎn)地類別進(jìn)口
膜厚測(cè)量準(zhǔn)確度<0.2%nm光斑尺寸50 µmmm
光譜范圍190 nm - 1700 nmnm應(yīng)用領(lǐng)域石油,電子,綜合

Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE

——用于幾乎所有先進(jìn)薄膜或產(chǎn)品晶片測(cè)量的先進(jìn)多模計(jì)量




Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE


FilmTek™ 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE光譜橢圓偏振儀/多角度反射儀系統(tǒng)結(jié)合了專有的FilmTek技術(shù),為從研發(fā)到生產(chǎn)的幾乎所有先進(jìn)薄膜測(cè)量應(yīng)用提供了業(yè)界精度、精度和多功能性。其標(biāo)準(zhǔn)的小點(diǎn)測(cè)量尺寸和模式識(shí)別能力使該系統(tǒng)成為表征圖案化薄膜和產(chǎn)品晶片的理想選擇。


作為我們組合計(jì)量產(chǎn)品線(“標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE")的一部分,F(xiàn)ilmTek 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE能夠地滿足主流應(yīng)用所需的平均厚度、分辨率和光譜范圍之外的測(cè)量要求,并由標(biāo)準(zhǔn)儀器提供。


它在超薄到薄膜(特別是多層堆疊中的薄膜)上提供了異常精確和可重復(fù)的厚度和折射率測(cè)量。此外,與傳統(tǒng)的橢偏儀和反射儀相比,該系統(tǒng)對(duì)這些樣品中的不均勻性更加敏感。這是FilmTek 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE多模設(shè)計(jì)的結(jié)果,該多模設(shè)計(jì)將基于高性能旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器的光譜橢圓偏振儀與我們的多角度差分偏振測(cè)量(MADP)和差分功率譜密度(DPSD)技術(shù)、擴(kuò)展/寬光譜范圍DUV多角度偏振反射儀、我們拋物面鏡光學(xué)設(shè)計(jì)相結(jié)合,以及先進(jìn)的Filmtek軟件。


允許同時(shí)確定:
·多層厚度
·折射率[n(λ)]
·消光(吸收)系數(shù)[k(λ)]
·能帶隙
·成分(例如,SiGex中的Ge百分比、GaxIn1-xAs中的Ga百分比、AlxGa1-xAs中的Al百分比等)
·表面粗糙度
·組分,空隙率
·結(jié)晶度/非晶化(例如多晶硅或GeSbTe薄膜)
·薄膜梯度


系統(tǒng)組件:

標(biāo)準(zhǔn):可選:
旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器設(shè)計(jì)的橢圓偏振光譜法(295nm-1700nm)
多角度偏振光譜反射(190nm-1700nm)
獨(dú)立測(cè)量薄膜厚度和折射率
多角度差分偏振(MADP)技術(shù)與SCI的差分功率譜密度(DPSD)技術(shù)
非常適合測(cè)量超薄薄膜(天然氧化物的重復(fù)性為0.03?)
用于成像測(cè)量位置的攝像機(jī)
模式識(shí)別
50微米光斑尺寸
高級(jí)材料建模軟件
具有高級(jí)全局優(yōu)化算法的Bruker廣義材料模型
各向異性測(cè)量(nx、ny、nz)的廣義橢圓偏振法(4×4矩陣泛化法)
盒式到盒式晶片處理
FOUP和SMIF兼容
模式識(shí)別(Cognex)
SECS/GEM


Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE典型應(yīng)用領(lǐng)域:
幾乎所有厚度從小于1?到約150µm的半透明膜都可以高精度測(cè)量。典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
硅半導(dǎo)體
復(fù)合半導(dǎo)體
LED/OLED
具有靈活的硬件和軟件,可以輕松修改以滿足
客戶需求,特別是在研發(fā)和生產(chǎn)環(huán)境中。

膜厚范圍0 ? to 150 µm
膜厚精度±1.0 ? for NIST traceable standard oxide 100 ? to 1 µm
光譜范圍190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm is standard)
光斑尺寸的測(cè)量25 µm - 300 µm (normal incidence); 2 mm (70°)
樣本量2 mm - 300 mm (150 mm standard)
光譜分辨率0.3 nm - 2nm
光源Regulated deuterium-halogen lamp (2,000 hrs lifetime)
探測(cè)器類型2048 pixel Sony linear CCD array / 512 pixel cooled Hamamatsu InGaAs CCD array (NIR)
帶自動(dòng)聚焦的自動(dòng)舞臺(tái)300 mm (200 mm is standard)
電腦Multi-core processor with Windows™ 10 Operating System
測(cè)量時(shí)間<1 sec per site (e.g., oxide film)


性能規(guī)格


Film(s)厚度測(cè)量參數(shù)精確 ()
氧化物 / 硅0 - 1000 ?t0.03 ?
1000 - 500,000 ?t0.005%
1000 ?t , n0.2 ? / 0.0001
15,000 ?t , n0.5 ? / 0.0001
150.000 ?t , n1.5 ? / 0.00001
氮化物 /硅200 - 10,000 ?t0.02%
500 - 10,000 ?t , n0.05% / 0.0005
光刻膠 /硅200 - 10,000 ?t0.02%
500 - 10,000 ?t , n0.05% / 0.0002
多晶硅  / 氧化物 /硅200 - 10,000 ?t Poly , t Oxide        0.2 ? / 0.1 ?
500 - 10,000 ?t Poly , t Oxide     0.2 ? / 0.0005



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